SGT10T60SDM1D 相关话题

标题：Silan士兰微SGT10T60SDM1D IGBT＋Diode技术应用及TO-252-2L封装方案介绍 Silan士兰微的SGT10T60SDM1D是一款采用TO-252-2L封装的IGBT＋Diode一体化芯片，其独特的组合和封装设计使其在电力电子领域具有广泛的应用前景。本文将围绕该芯片的技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 1. IGBT技术：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、输入输出电阻低、耐压高、耐浪涌能力强等特点。SGT10T