SGT10U60SDM2D 相关话题

标题：Silan士兰微SGT10U60SDM2D IGBT＋Diode技术与TO-252-2L封装应用介绍 Silan士兰微的SGT10U60SDM2D是一款集成了IGBT和二极管的优秀器件，其采用了TO-252-2L封装，具有较高的热导率和优良的电气性能，使其在许多电力电子应用中发挥了重要作用。 首先，我们来了解一下IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点，因此在变频电源、UPS电源、电机驱动等高频率、大功率的领域中得到