SGT20T60SDM1P7 相关话题

标题：Silan士兰微SGT20T60SDM1P7 IGBT＋Diode封装技术及其应用方案介绍 Silan士兰微的SGT20T60SDM1P7是一款采用TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的混合器件。这种创新性的设计融合了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的高输入阻抗和快速开关特性，以及二极管的反向阻隔和续流特性，使得其在许多电力电子应用中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT。IGBT是一种复合型电力电子器件，它将BJT和MOS的优点结合在一起，具有输入阻抗高、开关速度快、