SGT25U120FD1P7 相关话题

标题：Silan士兰微SGT25U120FD1P7 IGBT＋Diode技术与TO-247-3L封装的应用介绍 Silan士兰微的SGT25U120FD1P7是一款采用TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的复合器件，它结合了IGBT的高输入阻抗和快速开关特性以及二极管的反向耐压和正向导通特性，使得它在许多应用领域中都表现出了优越的性能。 首先，我们来了解一下IGBT。IGBT是一种复合型功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和IGBT的强力驱动能力。因此，它具有快速开关特性，