SGT60U65FD1P7 相关话题

标题：Silan士兰微SGT60U65FD1P7 IGBT+Diode技术及TO-247-3L封装方案应用介绍 Silan士兰微的SGT60U65FD1P7是一款高性能的IGBT+Diode的组合芯片，其采用TO-247-3L封装，具有广泛的应用前景。本文将详细介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. IGBT技术：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、输入输出电阻低、耐压高、耐压击穿电压低等特点。SGT60U65FD1P7芯片采用的IGBT技术