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SGT75T65SDM1P4 相关话题

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标题:Silan士兰微SGT75T65SDM1P4 IGBT+Diode封装技术及其应用方案介绍 Silan士兰微的SGT75T65SDM1P4是一款采用TO-247-4L封装的IGBT+Diode的混合器件,这款产品凭借其独特的混合技术,不仅在节能、高效方面有出色的表现,同时也为我们的应用方案提供了更多的可能性。 首先,我们来了解一下IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。IGBT是一种功能强大的电子器件,具有开关速度快,体积小,效率高等优点。而Diode(二极管)则是一种具有单向传导电流特性的电子
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