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标题：Silan士兰微SGTQ160V65SDB1APWA IGBT+Diode技术与TO-247PN-3L封装方案应用介绍 Silan士兰微的SGTQ160V65SDB1APWA是一款采用TO-247PN-3L封装的IGBT+二极管一体化芯片，它集成了IGBT和二极管的特性，具有高效、节能、环保等优点，在电力电子领域具有广泛的应用前景。 一、技术特点 SGTQ160V65SDB1APWA IGBT+二极管一体化芯片采用了先进的IGBT和二极管技术，具有以下特点： 1. 高效率：该芯片采用了一