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标题：Silan士兰微SVG086R0ND TO-252-2L封装LVMOS技术与应用介绍 Silan士兰微的SVG086R0ND TO-252-2L封装LVMOS是一种高性能的功率MOSFET器件，它采用了先进的LVMOS技术，具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将介绍SVG086R0ND TO-252-2L封装LVMOS的技术特点、方案应用以及市场前景。 一、技术特点 1. 高压性能：SVG086R0ND TO-252-2L封装LVMOS具有出色的高压性能，能够承受高达800V的电压，适用