Silan(士兰微半导体)芯片
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2025-03
Silan士兰微SVS11N65FJD2 TO-220FJ-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS11N65FJD2 TO-220FJ-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS11N65FJD2 TO-220FJ-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率晶体管，适用于各种电源管理、电机驱动和其他需要大电流应用的场合。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高压性能：SVS11N65FJD2具有出色的高压性能，能够承受高达65V的栅极电压，适用于高电压应用场景。 2. 高电流能力：该器件具有出色的电流能力，能够承受高
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2025-03
Silan士兰微SVSP11N65FJHD2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP11N65FJHD2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVSP11N65FJHD2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率MOSFET器件，它采用了先进的生产工艺和技术，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，被广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍Silan士兰微SVSP11N65FJHD2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVSP11N65
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2025-03
Silan士兰微SVSP11N65FJDD2 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP11N65FJDD2 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVSP11N65FJDD2 TO-220FJD-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，具有出色的性能和可靠性。本文将介绍Silan士兰微SVSP11N65FJDD2 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVSP11N65FJDD2 TO-220FJD-3L封装 DPMOS采用先进的工艺技术，具有以下特点：
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2025-03
Silan士兰微SVS65R380DD4 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVS65R380DD4 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微电子的SVS65R380DD4是一款采用TO-252-2L封装的65V 380mA N-MOS器件，其出色的性能和可靠的品质使其在众多应用领域中脱颖而出。本文将深入探讨这款DPMOS的技术特点和方案应用，为读者提供全面的信息。 一、技术特点 1. 高压性能：SVS65R380DD4具有出色的高压性能，能够承受高达65V的电压，适用于需要高电压场合。 2. 高速响应：该器件的导通速度较
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2025-03
Silan士兰微SVS65R380FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R380FJDD4 TO-220FJD-3L封装DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R380FJDD4 TO-220FJD-3L封装DPMOS是一种高性能的功率器件，广泛应用于各类电子产品中。本文将详细介绍该器件的技术特点、方案应用以及市场前景。 一、技术特点 SVS65R380FJDD4 TO-220FJD-3L封装DPMOS采用先进的65nm工艺制造，具有高耐压、低导通电阻、高速响应等特点。其工作频率可达15KHz，电流容量大，适用于
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2025-03
Silan士兰微SVS14N65FD2 TO-220F-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS14N65FD2 TO-220F-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS14N65FD2 TO-220F-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该器件的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解其性能和应用价值。 一、技术特点 1. 高效能：SVS14N65FD2 TO-220F-3L封装 DPMOS具有出色的功率转换效率，能够提供更高的能量密度和更低的功耗。 2. 低温升：该器件的发热量低，能够有
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2025-03
Silan士兰微SVS14N65TD2 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS14N65TD2 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS14N65TD2 TO-220-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，它采用了先进的生产技术和方案，具有出色的性能和可靠性。本文将介绍Silan士兰微SVS14N65TD2 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 1. 高效能：SVS14N65TD2 TO-220-3L封装 DPMOS具有出色的功率转换效率，能够提供更高的输出功率，满足
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2025-03
Silan士兰微SVSP14N65FJHE2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVSP14N65FJHE2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS的技术与方案应用介绍 Silan士兰微SVSP14N65FJHE2 TO-220FJH-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率MOSFET器件，其技术特点和方案应用值得深入探讨。 一、技术特点 Silan微SVSP14N65FJHE2 DPMOS采用了先进的沟槽技术，具有高输入阻抗、低导通电阻和快速开关等特性。同时，其TO-220FJH-3L封装设计也充分考虑了散热性能，能够适应高温工作环境，提高器件的可靠
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2025-03
Silan士兰微SVS65R280DD4 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVS65R280DD4 TO-252-2L封装DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微电子的SVS65R280DD4是一款采用TO-252-2L封装的65V 280mA双栅极电压（DPMOS）晶体管。这款器件以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各类电源管理，电机驱动，以及高效率的开关电源等应用场景。 首先，我们来了解一下这款器件的技术特点。SVS65R280DD4采用了先进的双栅极电压技术，使得其能够承受更高的电压，同时降低了内部电阻，从而提高了效率。此外，其低导通电阻和
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2025-03
Silan士兰微SVS65R280FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R280FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R280FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，它采用先进的生产工艺，具有高效率、低损耗、高可靠性等优点，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍Silan士兰微SVS65R280FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVS65R280FJDD4 TO-220
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2025-03
Silan士兰微SVS65R280TD4 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R280TD4 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R280TD4 TO-220-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，它具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将介绍Silan士兰微SVS65R280TD4 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 1. 高性能：SVS65R280TD4 TO-220-3L封装 DPMOS具有高耐压、高电流和大开关速度等特性，适用于各种电源管理、电机驱
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2025-03
Silan士兰微SVS65R240FD4 TO-220F-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R240FD4 TO-220F-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R240FD4 TO-220F-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，它采用了先进的工艺和技术，具有高效、可靠、节能等优点，在各种电子设备中得到了广泛的应用。本文将介绍Silan士兰微SVS65R240FD4 TO-220F-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVS65R240FD4 TO-220F-3L封装 DPMOS