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Silan士兰微SGT20T60SD1FD TO-220FD-3L封装 IGBT+Diode的技术和方案应用介绍
2024-07-30
标题:Silan微SGT20T60SD1FD IGBT+Diode技术与应用的介绍 Silan微,作为国内领先的半导体供应商,其SGT20T60SD1FD IGBT+Diode组件以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种电源和电机控制应用中。该组件采用了TO-220FD-3L封装,大大提高了其散热性能,使得在高温环境下也能保持稳定的性能。 首先,让我们来了解一下SGT20T60SD1FD IGBT的技术特点。这款器件采用了先进的氮化镓技术,具有更高的开关速度和效率,同时具有更低的功耗和发热量。这
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