SGT20T60SD1P7 相关话题

标题：Silan士兰微SGT20T60SD1P7 IGBT＋Diode封装技术与应用介绍 Silan士兰微的SGT20T60SD1P7是一款采用TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的复合器件，其独特的设计和优良的性能在业界备受瞩目。本文将围绕该器件的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 SGT20T60SD1P7器件采用了TO-247-3L封装，这种封装形式具有高散热性能，能够确保IGBT和Diode在高温下稳定工作。此外，该器件采用了先进的IGBT和Diode集成技术，实现了两者性