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Silan士兰微SGT60N60FD1P7 TO-247-3L封装 IGBT+Diode的技术和方案应用介绍
2024-11-04
标题:Silan士兰微SGT60N60FD1P7 IGBT+Diode封装技术及其应用方案介绍 Silan士兰微的SGT60N60FD1P7是一款高性能的TO-247-3L封装IGBT+Diode的结合体。它不仅具有IGBT的高输入/输出功率和快速开关特性,还具有二极管的反向阻断能力和续流特性。这种独特的设计,使得其在许多应用场景中,如变频器、UPS、太阳能逆变器、风力发电、汽车电子等领域,具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下IGBT。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有输入/输出功
Silan(士兰微半导体)芯片
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