SGT75T65SDM1P4 相关话题

标题：Silan士兰微SGT75T65SDM1P4 IGBT＋Diode封装技术及其应用方案介绍 Silan士兰微的SGT75T65SDM1P4是一款采用TO-247-4L封装的IGBT＋Diode的混合器件，这款产品凭借其独特的混合技术，不仅在节能、高效方面有出色的表现，同时也为我们的应用方案提供了更多的可能性。 首先，我们来了解一下IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。IGBT是一种功能强大的电子器件，具有开关速度快，体积小，效率高等优点。而Diode（二极管）则是一种具有单向传导电流特性的电子