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Silan士兰微SGTP75V65FDB1P7 TO-247-3L封装 IGBT+Diode的技术和方案应用介绍
2024-08-15
标题:Silan微SGTP75V65FDB1P7 IGBT+Diode技术在TO-247-3L封装中的应用与方案 Silan微电子的SGTP75V65FDB1P7 IGBT+Diode芯片,采用TO-247-3L封装,以其独特的技术和方案,在业界赢得了广泛的关注和赞誉。这种独特的芯片设计,结合了IGBT和二极管的优点,不仅提高了效率,也降低了能耗,为现代电子设备提供了强大的技术支持。 首先,我们来了解一下TO-247-3L封装。这是一种广泛使用的半导体封装形式,具有高功率容量、高热导率、易于制
Silan(士兰微半导体)芯片
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