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标题：Silan士兰微SGTP75V65SDS1P7 IGBT＋Diode技术在TO-247-3L封装中的应用及方案介绍 Silan士兰微的SGTP75V65SDS1P7是一款采用TO-247-3L封装的高效能IGBT＋Diode器件。该器件在电力电子应用中具有广泛的应用前景，特别是在新能源汽车、风力发电、工业电源和UPS等领域。本文将详细介绍SGTP75V65SDS1P7的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. IGBT部分：SGTP75V65SDS1P7采用Silan士兰微的IGBT技术