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Silan士兰微SVF9N90F TO-220F-3L封装 HVMOS的技术和方案应用介绍
2025-01-08
标题:Silan微SVF9N90F TO-220F-3L封装HVMOS技术与应用介绍 Silan微电子的SVF9N90F是一款高性能的TO-220F-3L封装HVMOS器件。这种技术利用了硅片的高电子迁移率,使其在高压应用中表现出了出色的性能。以下是对其技术特性和应用方案的详细介绍。 一、技术特性 1. 高压性能:HVMOS器件在高压应用中表现出色,SVF9N90F的额定电压高达90V,使其在需要高电压输出的场合具有显著的优势。 2. 高速响应:由于其高电子迁移率,HVMOS具有快速响应特性,
Silan(士兰微半导体)芯片
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