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Silan士兰微SVG104R2NT TO-220-3L封装 LVMOS的技术和方案应用介绍
2024-10-01
标题:Silan士兰微SVG104R2NT TO-220-3L封装LVMOS技术与应用介绍 Silan士兰微的SVG104R2NT是一款高性能的TO-220-3L封装LVMOS功率场效应管。该器件采用先进的LVMOS(低导通电阻场效应管)技术,具有优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电源管理、电机控制和高端音频放大等领域。 一、技术特点 1. 高效率:LVMOS技术使得SVG104R2NT具有极低的导通电阻,大大提高了电路的效率。 2. 高耐压:器件的额定电压高达40V,为电路提供了足够的功
Silan(士兰微半导体)芯片
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