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TO-220F-2L 相关话题

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标题:Silan微士兰微 SFR35F60F2 TO-220F-2L封装 600V技术与应用介绍 Silan微士兰微是一家在微电子领域享有盛誉的公司,其生产的 SFR35F60F2 芯片是一款高性能的功率MOSFET器件,采用TO-220F-2L封装,具有600V的技术特性。这款产品在许多应用领域中都具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下这款芯片的技术特点。600V 的技术规格使得 SFR35F60F2 能够承受较大的电压,从而在需要大电流通过的场合能够发挥出其强大的性能。TO-220F-
标题:Silan微SFR20F60BF2 TO-220F-2L封装:600V技术应用与解决方案介绍 Silan微电子的SFR20F60BF2芯片是一款具有TO-220F-2L封装和600V技术的高性能器件。它是一种适合于各种电源管理应用的理想选择,尤其在电池供电设备、电动工具、LED照明等场景中。 首先,我们来了解一下这款芯片的技术特点。600V的耐压能力使其在需要高电压应用的场景中表现出色。此外,其低导通电阻和快速开关特性使其在转换效率高的同时,也具有较低的功耗。其TO-220F-2L封装设
标题:Silan微SFR15F60EF2 TO-220F-2L封装600V技术与应用介绍 Silan微电子的SFR15F60EF2是一款采用TO-220F-2L封装,具有600V技术规格的功率MOSFET器件。这种器件在许多应用中具有广泛的应用前景,特别是在需要高效、可靠和节能的电子设备中。 一、技术特点 首先,这种器件具有出色的电气性能,如高栅极驱动电流能力和快速开关特性。此外,它还具有低导通电阻和低导通电压,使其在各种高功率应用中表现出色。其600V的技术规格也使其适用于需要高电压输出的设
标题:Silan微STS65R580FS2 TO-220F-2L封装DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微电子的STS65R580FS2是一款采用TO-220F-2L封装的双极型功率MOS器件,主要应用于电源管理,电机驱动,逆变器等高效率,高功率密度的应用场景。其采用先进的氮化铝(AlN)薄膜晶体管技术,具有极高的栅极电荷和栅氧化层耐压特性,同时具备低导通电阻,高频率特性,高可靠性和低损耗等优势。 STS65R580FS2的技术特点主要包括高饱和电压,低导通电阻和低栅极电荷,这些特性使其
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