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Infineon 相关话题

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标题:Infineon(IR) IKY40N120CH3XKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKY40N120CH3XKSA1是一种高性能的功率半导体IGBT,适用于各种高电压和大电流应用场景。这款IGBT器件的最大特点是其高输入容量,能够在高达1200V的电压下稳定工作,最大电流密度高达80A。这种器件的主要优势在于其优异的电气性能和低能耗,使其在各种电力转换和驱动系统中发挥关键作用。 首先,从技术角度来看,IKY40N120CH3XKSA1具有优秀的
标题:Infineon品牌IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH技术及方案介绍 随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断创新。Infineon品牌的IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH作为一种重要的电子元件,在电力转换和控制系统中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍Infineon品牌IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENCH的技术和方案。 一、技术特点 Infineon品牌IKWH50N65WR6XSA1半导体IGBT TRENC
Infineon英飞凌F417MR12W1M1HPB76BPSA1模块:低功耗易用方案的解析与应用 一、简介 Infineon英飞凌F417MR12W1M1HPB76BPSA1模块是一款高性能的EEPROM存储器,适用于各种低功耗应用场景。该模块具有低功耗特性,高存储密度,以及卓越的数据可靠性和耐久性,使其在各种嵌入式系统中得到广泛应用。 二、主要参数 1. 存储容量:高达1MB; 2. 工作电压:2.7V至3.6V; 3. 读写速度:快速; 4. 耐久性:高; 5. 功耗:低; 6. 封装形
标题:Infineon(IR) IKW75N65ET7XKSA1功率半导体IKW75N65ET7XKSA1的技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKW75N65ET7XKSA1功率半导体,是一款高性能的功率器件,以其出色的性能和广泛的应用领域,赢得了业界的广泛赞誉。 首先,IKW75N65ET7XKSA1采用了先进的工艺技术,包括氮化镓(GaN)技术。这种技术使得器件在高频、高效率、高功率密度等方面具有显著的优势。此外,它还采用了先进的栅极驱动技术,使得器件的开关速度更快,损耗更低。 I
标题:Infineon IGW40N65F5FKSA1半导体IGBT 650V 74A TO247-3技术与应用方案介绍 Infineon IGW40N65F5FKSA1半导体IGBT是一款高性能的650V 74A TO247-3封装形式的功率半导体器件。其出色的性能表现和强大的功能特性使其在各种应用场景中发挥着重要作用。 技术特点: 1. 高压、大电流设计,能够承受高达650V的电压,同时能够提供高达74A的电流。 2. 快速开关性能,能够在极短的时间内导通和截止,有助于降低系统功耗和发热量
Infineon英飞凌FP50R12KT4GBOSA1模块IGBT MOD 1200V 50A 280W参数及应用方案 一、概述 Infineon英飞凌FP50R12KT4GBOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,适用于各种工业和电源应用。该模块采用1200V、50A的IGBT,具有280W的输出功率,适用于需要高效、可靠和耐用的电源系统。 二、技术参数 1. IGBT类型:双极型IGBT 2. 电压:1200V 3. 电流:50A 4. 输出功率:280W 5. 工作温度范围:-40℃至+
标题:Infineon(IR) IKW40N65RH5XKSA1功率半导体:创新技术及其在工业14领域的解决方案 在当今的电子设备领域,功率半导体起着至关重要的作用。它们负责转换、调节和传输电力,广泛应用于各种工业应用中。Infineon Technologies(IR)的IKW40N65RH5XKSA1功率半导体芯片,以其卓越的性能和创新的解决方案,在工业14领域中发挥着不可或缺的作用。 首先,让我们了解一下Infineon(IR)的IKW40N65RH5XKSA1功率半导体芯片。这款芯片是
标题:Infineon IGW40N65H5FKSA1 半导体 IGBT 650V 74A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon IGW40N65H5FKSA1是一款高性能的650V 74A TO247-3封装规格的半导体IGBT。这款产品在市场上具有很高的竞争力,其独特的性能和特点使其在许多应用领域中脱颖而出。 技术特点: * 650V 74A的IGBT模块,具有出色的导通性能和极低的开关损耗。 * TO247-3封装设计,具有高散热性能,适用于高温和高功率应用环境。 * 内置的
标题:Infineon(IR) AIKW30N60CTXKSA1功率半导体IC与DISCRETE 600V TO247-3技术在应用中的完美结合 随着科技的发展,功率半导体IC已成为现代电子设备中的重要组成部分。Infineon(IR)的AIKW30N60CTXKSA1功率半导体IC以其高效率、高耐压和低损耗等特点,在各种电力转换设备中发挥着不可或缺的作用。与此同时,DISCRETE 600V TO247-3作为一款高性能的功率模块,为AIKW30N60CTXKSA1提供了强大的支撑。 AIK
标题:Infineon品牌IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT 1350V 40A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon近期推出的IHW20N135R5XKSA1半导体IGBT,具有1350V、40A的强大性能,TO247-3封装使其在小型化应用中具有显著优势。 技术特点: 1. 高压性能:IHW20N135R5XKSA1的额定电压高达1350V,适用于需要高压大电流的场合。 2. 快速开关特性:该器件具有优秀的开关性能,可在高频应用中表现出色。 3. 热稳定性高:该器件