QPD1016L

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编号：

772-QPD1016L

制造商编号：

QPD1016L

制造商：

Qorvo

客户编号:

说明：

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

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USHTS: 8541497080 ECCN: EAR99

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QPD1016L GaN射频晶体管

Qorvo QPD1016L GaN射频晶体管是一款500W (P3dB) 预匹配分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC HEMT)，工作频率范围为直流至1.7GHz。QPD1016L在1.3GHz时提供18dB线性增益，在3dB压缩时具有67%漏极效率。该器件可支持脉冲和线性操作。

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