Silan(士兰微半导体)芯片
热点资讯
- 士兰微在半导体工艺方面有哪些创新和突破?
- Silan士兰微STS65R280DS2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH7712TG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH2136U SOP28封装 三半桥驱动的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SVGP03100NCS WLCSP-22封装 LVMOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SVGP103R0NT TO-220-3L封装 LVMOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SD6804DC DIP7封装 650V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SD7784D DIP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SGTP50T120FDB4PWA TO-247PN-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SVF4N70D TO-252-2L封装 HVMOS的技术和方案应用介绍
-
22
2024-08
Silan士兰微STS65R190SS2 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微士兰微STS65R190SS2 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微士兰微，作为国内知名的半导体公司，一直以其卓越的技术和产品在业界享有盛誉。近期，他们推出了一款高性能的TO-263-2L封装DPMOS器件——STS65R190SS2，其技术特点和方案应用值得深入探讨。 一、技术特点 STS65R190SS2是一款双极型的P型沟道绝缘体屏蔽场效应晶体管（DPMOS），采用了Silan微的最新技术——TO-263-2L封装。这种封装具有高散热性能
-
21
2024-08
Silan士兰微STS65R280DS2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微STS65R280DS2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微电子的STS65R280DS2是一款高性能的TO-252-2L封装DPMOS。这种特殊的封装形式是为了满足大功率、高可靠性的应用需求，而内部结构则设计为高效能的DPMOS。 首先，我们来了解一下DPMOS。DPMOS，即双极型功率MOSFET器件，结合了MOS和双极型器件的优点。它具有高开关速度、低驱动电压、高跨导、高功率、高可靠性等优点，因此在功率电子应用中具有广泛的应用前景。ST
-
20
2024-08
Silan士兰微STS65R580DS2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微STS65R580DS2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微的STS65R580DS2 TO-252-2L封装 DPMOS是一种高性能的场效应晶体管，它广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、LED照明、通讯设备等。本文将详细介绍STS65R580DS2的技术特点和方案应用。 一、技术特点 STS65R580DS2是一款双极型功率MOSFET器件，具有以下特点： 1. 高栅极电荷：该器件具有较高的栅极电荷，有利于提高开关速度和减少开关损耗。
-
19
2024-08
Silan士兰微SGTP75V120FDB2PW TO-247P-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGTP75V120FDB2PW IGBT+Diode技术及应用介绍 Silan微，作为业界领先的半导体供应商，其SGTP75V120FDB2PW IGBT+Diode组件在电力电子应用中具有广泛的应用前景。这款独特的组件结合了IGBT和二极管的优秀特性，为各种电源和电机控制设计提供了强大的技术支持。 首先，让我们了解一下IGBT（绝缘栅双极晶体管）的优点。IGBT是一种复合型功率半导体器件，具有开关速度快、安全可靠性高、耐压强度大、热稳定性好等特点。它广泛应用于各种需要高效
-
18
2024-08
Silan士兰微SGTP50T120FDB4PWA TO-247PN-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SGTP50T120FDB4PWA TO-247PN-3L封装IGBT+二极管的先进技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SGTP50T120FDB4PWA是一款采用TO-247PN-3L封装的IGBT+二极管，其独特的性能和出色的技术特点使其在众多应用领域中脱颖而出。本文将深入探讨这款产品的技术细节和方案应用，以帮助读者更好地了解其优势和应用前景。 一、技术特点 1. IGBT部分：SGTP50T120FDB4PWA采用的IGBT具有高开关速度、低导通压降和良好的热稳定
-
17
2024-08
Silan士兰微SGTQ200V75SDB1PWA TO-247PN-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SGTQ200V75SDB1PWA IGBT+Diode技术与TO-247PN-3L封装的应用介绍 Silan士兰微的SGTQ200V75SDB1PWA是一款采用TO-247PN-3L封装的IGBT+Diode的混合器件。这款器件结合了IGBT的高输入阻力和快速开关特性以及二极管的反向耐压和正向导通特性，使得它在许多应用场景中都具有显著的优势。 首先，我们来了解一下IGBT。IGBT是一种复合型功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻力和GTR的高电流传输能力。这种
-
16
2024-08
Silan士兰微SGTQ160V65SDB1APWA TO-247PN-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SGTQ160V65SDB1APWA IGBT+Diode技术与TO-247PN-3L封装方案应用介绍 Silan士兰微的SGTQ160V65SDB1APWA是一款采用TO-247PN-3L封装的IGBT+二极管一体化芯片，它集成了IGBT和二极管的特性，具有高效、节能、环保等优点，在电力电子领域具有广泛的应用前景。 一、技术特点 SGTQ160V65SDB1APWA IGBT+二极管一体化芯片采用了先进的IGBT和二极管技术，具有以下特点： 1. 高效率：该芯片采用了一
-
15
2024-08
Silan士兰微SGTP75V65FDB1P7 TO-247-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGTP75V65FDB1P7 IGBT+Diode技术在TO-247-3L封装中的应用与方案 Silan微电子的SGTP75V65FDB1P7 IGBT+Diode芯片，采用TO-247-3L封装，以其独特的技术和方案，在业界赢得了广泛的关注和赞誉。这种独特的芯片设计，结合了IGBT和二极管的优点，不仅提高了效率，也降低了能耗，为现代电子设备提供了强大的技术支持。 首先，我们来了解一下TO-247-3L封装。这是一种广泛使用的半导体封装形式，具有高功率容量、高热导率、易于制
-
14
2024-08
Silan士兰微SGTP75V65SDS1P7 TO-247-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SGTP75V65SDS1P7 IGBT＋Diode技术在TO-247-3L封装中的应用及方案介绍 Silan士兰微的SGTP75V65SDS1P7是一款采用TO-247-3L封装的高效能IGBT＋Diode器件。该器件在电力电子应用中具有广泛的应用前景，特别是在新能源汽车、风力发电、工业电源和UPS等领域。本文将详细介绍SGTP75V65SDS1P7的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. IGBT部分：SGTP75V65SDS1P7采用Silan士兰微的IGBT技术
-
13
2024-08
Silan士兰微SGTP50V65FDB1P7 TO-247-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGTP50V65FDB1P7 IGBT＋Diode技术应用与TO-247-3L封装方案介绍 Silan微，作为业界知名的半导体供应商，其SGTP50V65FDB1P7 IGBT＋Diode组件在业界享有盛誉。该组件采用TO-247-3L封装，具有高效率、高可靠性以及易于集成等特点，被广泛应用于各类电源、电机控制以及电动汽车等领域。 首先，我们来了解一下SGTP50V65FDB1P7 IGBT的特点。这款器件采用先进的沟槽技术，具有高饱和电压、低导通电阻以及快速开关等特性。同
-
12
2024-08
Silan士兰微SGTP50V65UF1P7 TO-247-3L封装 IGBT的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGTP50V65UF1P7 IGBT技术与应用介绍 Silan微，作为一家在半导体领域享有盛誉的公司，其生产的SGTP50V65UF1P7 IGBT在业界具有广泛的影响力。本文将围绕该款IGBT的技术特点、方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 SGTP50V65UF1P7 IGBT采用了TO-247-3L封装，这种封装形式具有高功率容量、低热阻、高可靠性等优点。在技术层面，该款IGBT采用了最新的工艺技术，包括高耐压、高电流、低损耗等特性。此外，该款IGBT还具有较高的开关
-
11
2024-08
Silan士兰微SGTP40V65SDB1P7 TO-247-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SGTP40V65SDB1P7 IGBT＋Diode的TO-247-3L封装技术与应用介绍 Silan士兰微的SGTP40V65SDB1P7是一款采用TO-247-3L封装的IGBT＋Diode的复合器件，它结合了IGBT的高输入阻力和导通电阻，以及二极管的反向恢复特性，使得它在许多应用中具有出色的性能。 首先，我们来了解一下IGBT。IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，它具有输入电阻高，开关速度快，耐压值高，热稳定性好等特点。这使得它在电力电子、通