Silan(士兰微半导体)芯片
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2024-05
Silan士兰微SDH7904SLN SOP7封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7904SLN SOP7封装550V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan微电子的SDH7904SLN是一款采用SOP7封装，具备550V MOS耐压的高性能场效应管。这款器件以其出色的性能和紧凑的封装设计，在许多电子设备中发挥着关键作用。本文将深入探讨SDH7904SLN的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地理解和应用这款产品。 一、技术特点 SDH7904SLN具有高耐压、低导通电阻、高速响应等优点。其工作电压范围为10V至55V，工作频率可达15KHz，适用
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2024-05
Silan士兰微SDH7902SLN SOP7封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7902SLN SOP7封装550V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan微电子的SDH7902SLN是一款采用SOP7封装，具备550V MOS耐压的高性能MOS管。这款产品在电源管理，电机驱动，逆变器等应用领域具有广泛的应用前景。本文将详细介绍SDH7902SLN的技术特点和方案应用。 一、技术特点 SDH7902SLN是一款具有高耐压、低导通电阻、快响应速度的N沟道增强型MOS管。其主要技术参数包括：550V的耐压值，源到漏之间的导通电阻大约在2.1Ω左右，
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2024-05
Silan士兰微SDH6984D DIP8封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH6984D DIP8封装550V MOS耐压技术的技术应用介绍 随着电子技术的飞速发展，高耐压、大电流的MOS管在电源管理、电机控制、变频器、汽车电子等领域的应用越来越广泛。本文将详细介绍Silan微SDH6984D这款具有DIP8封装，且具备550V MOS耐压技术的产品，并探讨其应用方案。 一、产品概述 SDH6984D是一款高性能的N-MOS场效应晶体管，采用Silan微的先进工艺制造，具有高耐压、大电流、低功耗、高速响应等特性。其DIP8的封装设计使得它在许多紧
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2024-05
Silan士兰微SDH6984R SOP8封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH6984R SOP8封装550V MOS耐压技术及其应用介绍 随着电子技术的不断发展，高耐压、大电流的MOS管在各类电子设备中的应用越来越广泛。Silan士兰微的SDH6984R是一款SOP8封装的550V MOS耐压器件，其优秀的性能和稳定的品质使其在各类应用中都取得了良好的效果。 一、技术特点 SDH6984R是一款高性能的N-MOS管，具有以下特点： 1. 550V耐压：该器件的耐压高达550V，能够承受较大的电场，适用于需要高电压场合。 2. SOP8封装：
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2024-05
Silan士兰微SDH6983R SOP8封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH6983R MOSFET N-Channel SOP8封装技术及550V耐压应用方案介绍 一、引言 Silan士兰微SDH6983R是一款具有创新技术的N-Channel MOSFET器件，采用SOP8封装，适用于各种电源管理应用。该器件具有550V的高耐压和低导通电阻等特点，为设计者提供了更高效、更可靠的电源解决方案。本文将详细介绍SDH6983R的技术特点，以及其应用方案。 二、技术特点 SDH6983R的额定电压高达550V，这意味着它可以承受更高的电压，从而
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2024-05
Silan士兰微SDH6981R SOP8封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH6981R MOSFET SOP8封装技术及其应用 Silan微电子的SDH6981R MOSFET，采用SOP8封装，具有550V的高耐压能力和出色的性能表现，使其在许多应用领域中具有广泛的应用前景。本文将详细介绍这款产品的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解其优势和应用场景。 一、技术特点 SDH6981R是一款N-MOS FET，具有高栅极电荷、低导通电阻和低栅极电容等特点。其SOP8封装提供了足够的散热面积，确保了其在高温环境下的稳定工作。此外，该产品还具有
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2024-05
Silan士兰微SDH6982S SOP7封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH6982S SOP7封装550V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH6982S是一款具有创新性的SOP7封装550V MOS耐压器件，其在技术应用和市场应用上都具有显著的优势。本文将详细介绍其技术特性和方案应用，以帮助读者更好地理解和应用这一新型器件。 一、技术特性 SDH6982S是一款高性能的N-type MOSFET器件，具有以下主要技术特性： 1. 高压性能：该器件的额定电压高达550V，适用于各种高压应用场景。 2. 快速开关特性：该
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2024-05
Silan士兰微SD6920 SOT23-6封装 Ex. MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SD6920 SOT23-6封装MOS耐压技术的应用介绍 Silan微SD6920是一款具有SOT23-6封装形式的耐压MOS，其独特的封装形式和出色的性能使其在众多应用领域中脱颖而出。本文将深入探讨SD6920的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地理解这一产品。 一、技术特点 SD6920是一款具有高耐压（如600V）的N沟道MOS，其工作频率可达数百MHz，具有低导通电阻、高转换效率等特点。此外，其SOT23-6封装形式使其在小型化电路中具有显著的优势。这种封装形式不仅降
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2024-05
Silan士兰微SDH7714SG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7714SG SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan微SDH7714SG是一款采用SOP7封装，具备500V MOS耐压功能的单片栅极驱动MOS管。其卓越的性能和优秀的封装设计使其在各种电源管理应用中大放异彩。下面我们将详细介绍这款产品的技术特性和应用方案。 一、技术特性 1. 高压性能：SDH7714SG具备500V的MOS耐压，能适应各种高电压应用环境。 2. 高效驱动：内置栅极驱动器，简化电路设计，提高电路效率。 3. 封装优化：采用SO
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2024-05
Silan士兰微SDH7713DN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7713DN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7713DN是一款高性能的SOP7封装的500V MOS耐压器件，广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其技术特点和应用方案。 一、技术特点 SDH7713DN是一款500V的N沟道MOS管，采用SOP7封装，具有低导通电阻、高击穿电压、低栅极电荷和快速开关等优点。其工作频率可达20KHz，驱动电压低至2V，使得其在各种应用场景中都具有出色的性能。此外，该器件还具有低功耗、
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2024-05
Silan士兰微SDH7713SN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7713SN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7713SN是一款采用SOP7封装，具备500V MOS耐压功能的单片集成N-MOS场效应晶体管。这款器件具有高性能、高耐压、低导通电阻、高开关速度等特点，广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍SDH7713SN的技术特点，以及相应的应用方案。 一、技术特点 SDH7713SN具有500V的耐压值，这意味着它可以承受较大的电压负荷，增强了设备的安全性。其低导通电阻使得器件的
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2024-05
Silan士兰微SDH7712SN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7712SN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7712SN是一款高性能的SOP7封装的500V MOS耐压器件，它广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、电机驱动器、逆变器等。本文将详细介绍这款器件的技术特点和应用方案。 一、技术特点 SDH7712SN是一款高性能的N-type MOSFET，具有以下特点： 1. 高压性能：该器件的耐压值高达500V，能够承受较大的电压和电流负载。 2. 快速导通：该器件具有较短的导通