Silan(士兰微半导体)芯片
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2024-05
Silan士兰微SDH6982S SOP7封装 550V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH6982S SOP7封装550V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH6982S是一款具有创新性的SOP7封装550V MOS耐压器件，其在技术应用和市场应用上都具有显著的优势。本文将详细介绍其技术特性和方案应用，以帮助读者更好地理解和应用这一新型器件。 一、技术特性 SDH6982S是一款高性能的N-type MOSFET器件，具有以下主要技术特性： 1. 高压性能：该器件的额定电压高达550V，适用于各种高压应用场景。 2. 快速开关特性：该
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2024-05
Silan士兰微SD6920 SOT23-6封装 Ex. MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SD6920 SOT23-6封装MOS耐压技术的应用介绍 Silan微SD6920是一款具有SOT23-6封装形式的耐压MOS，其独特的封装形式和出色的性能使其在众多应用领域中脱颖而出。本文将深入探讨SD6920的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地理解这一产品。 一、技术特点 SD6920是一款具有高耐压（如600V）的N沟道MOS，其工作频率可达数百MHz，具有低导通电阻、高转换效率等特点。此外，其SOT23-6封装形式使其在小型化电路中具有显著的优势。这种封装形式不仅降
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2024-05
Silan士兰微SDH7714SG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7714SG SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan微SDH7714SG是一款采用SOP7封装，具备500V MOS耐压功能的单片栅极驱动MOS管。其卓越的性能和优秀的封装设计使其在各种电源管理应用中大放异彩。下面我们将详细介绍这款产品的技术特性和应用方案。 一、技术特性 1. 高压性能：SDH7714SG具备500V的MOS耐压，能适应各种高电压应用环境。 2. 高效驱动：内置栅极驱动器，简化电路设计，提高电路效率。 3. 封装优化：采用SO
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2024-05
Silan士兰微SDH7713DN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7713DN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7713DN是一款高性能的SOP7封装的500V MOS耐压器件，广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其技术特点和应用方案。 一、技术特点 SDH7713DN是一款500V的N沟道MOS管，采用SOP7封装，具有低导通电阻、高击穿电压、低栅极电荷和快速开关等优点。其工作频率可达20KHz，驱动电压低至2V，使得其在各种应用场景中都具有出色的性能。此外，该器件还具有低功耗、
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2024-05
Silan士兰微SDH7713SN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7713SN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7713SN是一款采用SOP7封装，具备500V MOS耐压功能的单片集成N-MOS场效应晶体管。这款器件具有高性能、高耐压、低导通电阻、高开关速度等特点，广泛应用于各类电子设备中。本文将详细介绍SDH7713SN的技术特点，以及相应的应用方案。 一、技术特点 SDH7713SN具有500V的耐压值，这意味着它可以承受较大的电压负荷，增强了设备的安全性。其低导通电阻使得器件的
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2024-05
Silan士兰微SDH7712SN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7712SN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7712SN是一款高性能的SOP7封装的500V MOS耐压器件，它广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、电机驱动器、逆变器等。本文将详细介绍这款器件的技术特点和应用方案。 一、技术特点 SDH7712SN是一款高性能的N-type MOSFET，具有以下特点： 1. 高压性能：该器件的耐压值高达500V，能够承受较大的电压和电流负载。 2. 快速导通：该器件具有较短的导通
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2024-05
Silan士兰微SDH7711SN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7711SN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7711SN是一款高性能的SOP7封装的500V MOS耐压器件，其出色的性能和广泛的应用领域使其在电子行业中占据了重要的地位。本文将详细介绍SDH7711SN的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解这一重要器件。 一、技术特点 SDH7711SN是一款高速、高耐压的N-MOS器件，具有以下特点： 1. 500V耐压：该器件具有出色的电气性能，能够在高电压下稳定工作，适用于
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2024-05
Silan士兰微SDH7712TG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7712TG SOP7封装500V MOSFET技术与应用介绍 随着电子技术的快速发展，MOSfet器件在各类电子设备中得到了广泛的应用。Silan微SDH7712TG SOP7封装500V MOSfet作为一种高性能的半导体器件，以其优异的性能和广泛的应用领域，受到了广大电子工程师的青睐。 一、技术特点 SDH7712TG SOP7封装500V MOSfet采用了先进的半导体工艺，具有以下特点： 1. 高压性能：该器件的耐压值达到了500V，能够承受较大的电压负荷，适
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2024-05
Silan士兰微SDH7712ATN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7712ATN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7712ATN SOP7封装500V MOS耐压是一种具有高性能和高耐压的场效应晶体管。它的应用领域非常广泛，包括电源管理、LED照明、微处理器散热等。本文将详细介绍SDH7712ATN的技术和应用方案。 一、技术特性 1. 封装形式：SOP7 2. 耐压值：500V 3. 开关速度：快速 4. 驱动门极电压：1.2V 5. 工作温度：-40℃至+150℃ 二、方案应用 1
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2024-05
Silan士兰微SDH7711TN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SDH7711TN SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SDH7711TN MOSFET是新一代的高压、低导通电阻的SOP7封装500V MOS器件。其出色的性能和稳定的耐压特性，使其在各种高电压应用中具有广泛的应用前景。本文将深入探讨SDH7711TN的技术特点、方案应用以及未来发展趋势。 一、技术特点 SDH7711TN MOSFET的主要技术特点包括高耐压、低导通电阻以及SOP7的小型封装。其耐压高达500V，能够有效承受高电压环
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2024-04
Silan士兰微SDH7711ATG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7711ATG SOP7封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan微SDH7711ATG是一款采用SOP7封装的500V MOS耐压器件，其独特的性能特点使其在许多应用领域中发挥重要作用。本文将介绍SDH7711ATG的技术和方案应用，以帮助读者更好地了解这一重要的电子元器件。 一、技术特点 SDH7711ATG是一款高速、高耐压N沟道MOSFET，采用SOP7封装，具有以下技术特点： 1. 500V高耐压，保证了电路的稳定性和可靠性； 2. 高速响应，降
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2024-04
Silan士兰微SDH7712P SOP4封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SDH7712P SOP4封装500V MOS耐压的技术和方案应用介绍 Silan微SDH7712P是一款采用SOP4封装，具备500V MOS耐压功能的先进场效应管。这款器件以其出色的性能和卓越的耐压特性，广泛应用于各种需要高效能、低功耗和易于集成的电子设备中。下面，我们将深入探讨这款产品的技术和方案应用。 一、技术特点 SDH7712P采用先进的500V MOS技术，具有高栅极电荷和快速开关性能，使得驱动信号处理更为简单，同时也大大降低了器件的导通电阻，进一步降低了功耗。