芯片产品
热点资讯
- 士兰微在半导体技术研发方面有哪些合作与联盟
- Silan士兰微SD59D24C QFN52-6x6封装 188数码管的技术和方案应用介绍
- 士兰微如何评估和提升半导体产品的可靠性?
- Silan士兰微SGTP75V120FDB2PW4 TO-247P-4L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SD6807DC DIP7封装 650V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH7711TG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SVG086R0NL5 PDFN5*6封装 LVMOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH8596ES SOP7封装 internal 650V MOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SD4955A QFN5*5-32封装 MOSFET的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH7712DN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
-
08
2024-11
Silan士兰微SVF13N50AF TO-220F-3L封装 HVMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVF13N50AF HVMOS器件的TO-220F-3L封装及其应用方案介绍 Silan微电子公司，作为业界领先的半导体供应商，近期推出了一款新型的HVMOS器件——SVF13N50AF。这款器件采用了独特的TO-220F-3L封装，具有高效、稳定、耐高压等特点，适用于各种高电压、大电流的应用场景。本文将深入探讨Silan微SVF13N50AF HVMOS器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高效能：SVF13N50AF HVMOS器件的额定电压高达50V，电流容
-
07
2024-11
Silan士兰微SVF13N50F TO-220F-3L封装 HVMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVF13N50F TO-220F-3L封装 HVMOS技术及其应用介绍 Silan微电子的SVF13N50F是一种高性能的HVMOS（高电压金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用TO-220F-3L封装，具有广泛的应用前景。本文将详细介绍Silan微SVF13N50F HVMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan微SVF13N50F HVMOS器件采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点。该器件采用TO-220F-3L封装，具有优良的热性能和机
-
06
2024-11
Silan士兰微SVF31N30CS TO-263-2L封装 HVMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVF31N30CS TO-263-2L封装 HVMOS技术及其应用介绍 Silan微电子的SVF31N30CS是一种高效、高性能的HVMOS器件，其采用了TO-263-2L封装技术，具有广泛的应用前景。本文将详细介绍Silan微SVF31N30CS HVMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan微SVF31N30CS HVMOS采用了先进的氮化硅半导体技术，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点。其工作频率高，开关损耗低，能够满足各种高效率、高功率的电源管理系统的需求
-
05
2024-11
Silan士兰微SGT70N65FDM1P7 TO-247-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SGT70N65FDM1P7 IGBT+Diode技术应用与TO-247-3L封装介绍 Silan士兰微的SGT70N65FDM1P7是一款高性能的IGBT+Diode的整合器件，其独特的TO-247-3L封装方式使其在各种应用场景中都具有出色的性能表现。本文将围绕该器件的技术特点、方案应用进行介绍。 一、技术特点 1. IGBT技术：IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、耐压高、电流容量大等特点，广泛应用于各种电力电子领域。SGT70
-
04
2024-11
Silan士兰微SGT60N60FD1PN TO-3P封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGT60N60FD1PN IGBT+Diode技术与应用介绍 Silan微，作为国内领先的半导体厂商，一直致力于研发和生产高品质的半导体产品。今天，我们将重点介绍一款由Silan微推出的SGT60N60FD1PN IGBT+Diode的封装技术与应用方案。 首先，我们来了解一下这款SGT60N60FD1PN IGBT+Diode的基本信息。它是一款高性能的复合器件，采用了TO-3P封装。这种封装方式具有优良的电气性能和散热性能，能够确保器件在高频率、大功率应用中的稳定性和可
-
03
2024-11
Silan士兰微SGT40N60FD1P7 TO-247-3L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGT40N60FD1P7 IGBT+Diode技术应用及方案介绍 Silan微，作为一家在半导体领域具有领先地位的企业，其SGT40N60FD1P7 IGBT+Diode的组合器件在业界备受瞩目。本文将围绕这款器件的技术特点、应用领域、方案介绍以及市场前景展开讨论。 首先，让我们了解一下这款器件的技术特点。SGT40N60FD1P7采用TO-247-3L封装，这种封装方式具有高热导率、高耐用性以及小型化等特点，能够有效地将器件产生的热量导出，避免因过热而降低性能。该器件采用
-
02
2024-11
Silan士兰微SGT40N60FD2PN TO-3P封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGT40N60FD2PN IGBT+二极管技术应用与方案介绍 Silan微，作为国内领先的半导体厂商，其SGT40N60FD2PN IGBT+二极管产品以其卓越的性能和可靠性，在电力电子领域得到了广泛的应用。本文将围绕该产品的技术特点、方案应用进行介绍。 一、技术特点 SGT40N60FD2PN IGBT+二极管采用了先进的氮化镓技术，具有高耐压、大电流、高频、高效的特点。其IGBT部分采用了先进的栅极驱动技术，提高了开关速度，降低了开关损耗。而其二极管部分采用了肖特基二极
-
01
2024-11
Silan士兰微SGTQ30NE40I1D TO-252-2L封装 IGBT的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SGTQ30NE40I1D IGBT技术与应用介绍 Silan微SGTQ30NE40I1D IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），它采用TO-252-2L封装，具有多种优点，如散热性能好、体积小、易安装等。该器件在电力电子领域具有广泛的应用前景。 一、技术特点 SGTQ30NE40I1D IGBT采用了先进的生产工艺和技术，具有以下特点： 1. 高速响应：由于IGBT具有双极性，其开关速度非常快，能够快速响应电路的开关状态。 2. 高效能：SGTQ30NE40
-
31
2024-10
Silan士兰微SVD9Z24NT TO-220-3L封装 MOSFET的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVD9Z24NT TO-220-3L封装MOSFET的技术与方案应用介绍 Silan微SVD9Z24NT TO-220-3L封装MOSFET是一种高性能的半导体器件，它采用了先进的生产技术和设计理念，具有多种应用方案。本文将详细介绍Silan微SVD9Z24NT TO-220-3L封装MOSFET的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 先进的制造工艺：Silan微SVD9Z24NT TO-220-3L封装MOSFET采用了先进的半导体制造工艺，包括高纯度制造、精密工艺控
-
30
2024-10
Silan士兰微SVF14N25CD TO-252-2L封装 MOSFET的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVF14N25CD TO-252-2L封装MOSFET的技术和方案应用介绍 Silan微SVF14N25CD是一款TO-252-2L封装的MOSFET器件，具有先进的技术和方案应用，其在电力电子领域的应用范围广泛。本文将详细介绍Silan微SVF14N25CD的技术特点、方案应用以及市场前景。 一、技术特点 Silan微SVF14N25CD采用先进的沟槽技术，具有高输入阻抗、低导通电阻和高开关速度等特性。同时，该器件具有低栅极电荷和良好的可编程性，使其在各种应用中表现出色。
-
29
2024-10
Silan士兰微SVD640T TO-220-3L封装 MOSFET的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVD640T TO-220-3L封装 MOSFET的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVD640T TO-220-3L封装 MOSFET是一种高性能的半导体器件，具有广泛的应用领域和优异的性能表现。本文将详细介绍SVD640T的技术特点和方案应用，帮助读者更好地了解和掌握这一重要器件。 一、技术特点 SVD640T TO-220-3L封装 MOSFET采用了先进的半导体工艺和设计技术，具有以下特点： 1. 高导通性能：SVD640T具有优异的导通性能，可在高频率和
-
28
2024-10
Silan士兰微SVD540T TO-220-3L封装 MOSFET的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVD540T TO-220-3L封装 MOSFET的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVD540T TO-220-3L封装 MOSFET是一种高性能的功率半导体器件，它采用先进的工艺技术和TO-220-3L封装，具有高效、可靠、易用等特点，在许多领域得到了广泛的应用。本文将介绍Silan士兰微SVD540T TO-220-3L封装 MOSFET的技术和方案应用。 一、技术特点 1. 先进的工艺技术：Silan士兰微SVD540T TO-220-3L封装 MOSFET