芯片产品
热点资讯
- 士兰微在半导体技术研发方面有哪些合作与联盟
- Silan士兰微SD59D24C QFN52-6x6封装 188数码管的技术和方案应用介绍
- 士兰微如何评估和提升半导体产品的可靠性?
- Silan士兰微SGTP75V120FDB2PW4 TO-247P-4L封装 IGBT＋Diode的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SD6807DC DIP7封装 650V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH7711TG SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SVG086R0NL5 PDFN5*6封装 LVMOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH8596ES SOP7封装 internal 650V MOS的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SD4955A QFN5*5-32封装 MOSFET的技术和方案应用介绍
- Silan士兰微SDH7712DN SOP7封装 500V MOS耐压的技术和方案应用介绍
-
19
2025-03
Silan士兰微SVS65R280SD4 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R280SD4 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R280SD4 TO-263-2L封装 DPMOS是一种高性能的功率器件，具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解和利用这一重要组件。 一、技术特点 1. 高性能：SVS65R280SD4 DPMOS具有高耐压、大电流和高开关速度等特性，适用于各种高功率应用场景。 2. 高效能：该器件具有低导通电阻，能够有效降
-
18
2025-03
Silan士兰微SVS65R240DD4 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVS65R240DD4 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微电子的SVS65R240DD4是一款采用TO-252-2L封装的65V 240mA双栅极电压双通道绝缘型P-MOS功率MOSFET器件。这种器件在许多高效率电源转换应用中具有广泛的应用前景，如LED照明、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等。本文将深入探讨Silan微SVS65R240DD4的技术特点和方案应用。 一、技术特点 Silan微SVS65R240DD4采用了先进的TO-2
-
17
2025-03
Silan士兰微SVS65R240FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R240FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术与方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R240FJDD4 TO-220FJD-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率晶体管，具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将深入探讨该器件的技术特点、方案应用及其优势。 一、技术特点 1. 芯片封装：SVS65R240FJDD4采用TO-220FJD-3L封装形式，这种封装形式具有优良的热导性能和电气性能，能够确保芯片在高功率、高温环境下稳定工作。 2.
-
16
2025-03
Silan士兰微SVS65R240TD4 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS65R240TD4 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS65R240TD4 TO-220-3L封装 DPMOS是一款具有极高性能的场效应晶体管，以其独特的SVS65R240TD4型号和TO-220-3L封装形式，成为了当今电子设备领域的热门选择。本文将详细介绍这款DPMOS的技术特点和方案应用。 首先，我们来了解一下这款DPMOS的技术特点。Silan士兰微SVS65R240TD4 TO-220-3L封装 DPMOS采用了
-
15
2025-03
Silan士兰微SVSP65R110LHD4 TOLL-8L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan微SVSP65R110LHD4 TOLL-8L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan微电子的SVSP65R110LHD4是一款采用TOLL-8L封装的DPMOS（双极功率MOSFET）晶体管。这种器件在电力电子应用中具有广泛的应用前景，特别是在大功率转换和控制系统中。本文将详细介绍这款器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高性能：SVSP65R110LHD4具有高饱和电压、低导通电阻和快速开关特性，使其在各种高功率应用中表现出色。 2. 高效能：该器件在轻载
-
14
2025-03
Silan士兰微SVSP65R110SHD4 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP65R110SHD4 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVSP65R110SHD4是一款采用TO-263-2L封装技术的N-沟道增强型低压大电流直插式功率MOS器件。该器件在技术上具有较高的性能，适用于各种电子设备，如电源转换器、电机驱动器和放大器等。本文将详细介绍Silan士兰微SVSP65R110SHD4 TO-263-2L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 1. 低栅极电压：该功率MOS器件的栅极电压低至
-
13
2025-03
Silan士兰微SVSP65R080P7HD4 TO-247-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP65R080P7HD4 TO-247-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVSP65R080P7HD4是一款采用TO-247-3L封装的80V，80A，SGT-NMOS器件。该器件具有高栅极电荷和低栅极延迟等特性，适用于需要高效率，低噪声和高动态范围的系统。特别是在高效率开关电源，变频器，通讯电源，不间断电源和高压电源模块等领域，具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下这款Silan士兰微SVSP65R080P7HD4 DPMOS的技术特
-
12
2025-03
Silan士兰微SVSP65R041P7HD4 TO-247-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP65R041P7HD4 TO-247-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVSP65R041P7HD4是一款采用TO-247-3L封装技术的DPMOS晶体管。该晶体管具有高耐压、低导通电阻、大电流等特点，适用于各类电源管理、快充等高效率应用领域。本文将详细介绍Silan士兰微SVSP65R041P7HD4 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 1. 高耐压：Silan士兰微SVSP65R041P7HD4的耐压高达65V，能够承受较高的
-
11
2025-03
Silan士兰微SVS11N60FJD2 TO-220FJ-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS11N60FJD2 TO-220FJ-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS11N60FJD2 TO-220FJ-3L封装 DPMOS是一款高性能的场效应晶体管，以其出色的性能和广泛的应用领域，在电子行业中发挥着越来越重要的作用。本文将详细介绍这款DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 1. 封装形式：TO-220FJ-3L，这种封装形式具有优良的散热性能，能够保证DPMOS在高功率下稳定工作。 2. 芯片规格：SVS11N60FJD
-
07
2025-03
Silan士兰微SVSP11N60DD2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP11N60DD2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVSP11N60DD2 TO-252-2L封装 DPMOS是一种高性能的功率MOSFET器件，它采用了先进的生产工艺和技术，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，适用于各种高功率电子设备中。本文将介绍Silan士兰微SVSP11N60DD2 TO-252-2L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVSP11N60DD2 TO-252-2L封装
-
06
2025-03
Silan士兰微SVS60R360FJDE3 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVS60R360FJDE3 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微的SVS60R360FJDE3 TO-220FJD-3L封装 DPMOS是一款高性能的场效应晶体管，它以其卓越的性能和广泛的方案应用而备受关注。本文将深入介绍Silan士兰微SVS60R360FJDE3 TO-220FJD-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVS60R360FJDE3 TO-220FJD-3L封装 DPMOS采用
-
05
2025-03
Silan士兰微SVSP11N60TD2 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍
标题：Silan士兰微SVSP11N60TD2 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用介绍 Silan士兰微SVSP11N60TD2 TO-220-3L封装 DPMOS是一种高性能的功率MOSFET器件，它采用了先进的生产工艺和技术，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，适用于各种高功率电子设备中。本文将介绍Silan士兰微SVSP11N60TD2 TO-220-3L封装 DPMOS的技术和方案应用。 一、技术特点 Silan士兰微SVSP11N60TD2 TO-220-3L封装